Publicado 27/07/2021 11:28CET

Portaltic.-Intel cambia la nomenclatura para los nodos de proceso y anuncia asociación con Qualcomm

Logo de Intel en la conferencia 'Intel Accelerated'
Logo de Intel en la conferencia 'Intel Accelerated' - INTEL

   MADRID, 27 Jul. (Portaltic/EP) -

Intel ha presentado su hoja de ruta de innovaciones en procesos y empaquetado para impulsar la próxima ola de productos desde el año 2025 en adelante, junto a un cambio en la nomenclatura para los nodos de proceso y el adelanto de una asociación con Qualcomm.

   Intel Corporation ha revelado en la conferencia global 'Intel Accelerated' la hoja de ruta de tecnología de procesos y empaquetado con la que impulsarán sus productos. Con ella, la compañía busca "asegurar" que está "correctamente encaminada hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos de cara a 2025", como ha señalado el director ejecutivo de Intel, Pat Gelsinger.

NUEVA NOMENCLATURA PARA LOS NODOS DE PROCESO

   Intel ha introducido una nueva estructura de nomenclatura para sus nodos de proceso, ya que, como ha explicado en un comunicado, la nomenclatura tradicional de los nodos de proceso basados en nanómetros dejó de coincidir con la métrica de la longitud real de 1997.

Intel 7 ofrece un aumento del rendimiento por vatio de entre el 10 y el 15 por ciento, aproximadamente, en comparación con Intel 10nm SuperFin, basado en las optimizaciones de los transistores FinFET.

   La compañía ha detallado que Intel 7 se podrá encontrar en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera que esté en producción en el primer trimestre de 2022.

Intel 4 adopta por completo la litografía EUV para reproducir características pequeñas con luz de longitud de onda ultracorta. Con un aumento de aproximadamente un 20 por ciento en el rendimiento por vatio, así como a mejoras de área, Intel 4 estará listo para su producción en la segunda mitad de 2022 en productos que se comercialicen en 2023, incluyendo Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para el centro de datos.

Intel 3 aprovecha las nuevas optimizaciones de FinFET y un mayor EUV para ofrecer un aumento del rendimiento por vatio de aproximadamente un 18 por ciento con respecto a Intel 4, junto con mejoras de área adicionales. Intel 3 estará listo para empezar a fabricarse en productos en la segunda mitad de 2023.

   La compañía ha indicado que Intel 20A marca el comienzo de la era 'angstrom' con dos tecnologías revolucionarias: RibbonFET y PowerVia. Se espera que Intel 20A entre en funcionamiento en 2024. La compañía también ha señalado la oportunidad de asociarse con Qualcomm a través de la utilización de la tecnología de proceso Intel 20A.

RibbonFET, la implementación de Intel de un transistor 'gate-all-around', será la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde los FinFET en 2011. Esta tecnología ofrece velocidades de conmutación de transistores más rápidas y consigue la misma corriente de impulso que múltiples aletas en un espacio más reducido.

   Por su parte, PowerVia es la primera implementación de Intel en el sector de suministro de energía en la parte trasera, que optimiza la señal de transmisión eliminando la necesidad de enrutar la energía en la parte frontal de la oblea.

   Más allá de Intel 20A, Intel 18A ya está en desarrollo y se prevé que esté lista para principios de 2025 con mejoras en RibbonFET. Intel también está trabajando para definir, construir e implementar EUV de Alta NA de próxima generación, y espera lograr la primera herramienta de producción del sector. Intel está colaborando estrechamente con ASML para garantizar el éxito de esta innovación en la industria, más allá de la generación actual de EUV.

LA HOJA DE RUTA DE EMPAQUETADO

   Intel ha anunciado que AWS será el primer cliente en utilizar las soluciones de empaquetado de Intel Foundry Services (IFS), al tiempo que ha proporcionado nuevos datos sobre la hoja de ruta de empaquetado avanzado de la compañía.

   Sapphire Rapids será el primer producto para centro de datos de Xeon que se comercializará a gran volumen con EMIB (puente integrado de interconexión de múltiples matrices). También será el primer dispositivo del sector del tamaño de una retícula doble, que ofrecerá casi el mismo rendimiento que un diseño monolítico. Además de Sapphire Rapids, la próxima generación de EMIB pasará de un bump pitch de 55 micras a 45 micras.

   Por su parte, Meteor Lake será la implementación de segunda generación de Foveros en un producto para cliente y cuenta con un bump pitch de 36 micras, tiles que abarcan varios nodos tecnológicos y un rango de potencia de diseño térmico de 5 a 125 W.

Foveros Omni marca el inicio de la próxima generación de la tecnología Foveros al proporcionar flexibilidad con la tecnología de apilamiento 3D de rendimiento para la interconexión 'die-to-die' y los diseños modulares. Foveros Omni permite la desagregación del 'die', mezclando múltiples 'dies' superiores con múltiples 'dies' base a través de nodos de fabricación mixtos. Se espera que esté listo para la fabricación en volumen en 2023.

   Foveros Direct pasa a la unión directa de cobre con cobre. Habilita bump pitches por debajo de las 10 micras, proporcionando un aumento del orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento en 3D, y abriendo nuevos conceptos para la partición funcional del 'die' que antes eran inalcanzables. Foveros Direct es complementario a Foveros Omni y también se espera que esté listo en 2023.